制造商

STMicroelectronics

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

数据列表 STP110N8F6
产品相片 TO-220-3
标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 STripFET™ F6
包装 管件  
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 6.5 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 9130pF @ 40V
功率 - 最大值 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220