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| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | IGBT 模块 | |
| RoHS: |  详细信息 | |
| 产品: | IGBT Silicon Modules | |
| 配置: | Dual | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1200 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 2.1 V | |
| 在25 C的连续集电极电流: | 580 A | |
| 栅极—射极漏泄电流: | 400 nA | |
| 最大工作温度: | 150 C | |
| 封装 / 箱体: | 62 mm | |
| 封装: | Bulk | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 栅极/发射极最大电压: | /- 20 V | |
| 最小工作温度: | - 40 C | |
| 安装风格: | Screw | |
| Pd-功率耗散: | 2400 W | |
| 工厂包装数量: | 10 |
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