32M - BIT [X 1 / X 2 ] CMOS串行闪存

特点一般
•单电源工作- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
•串行外设接口兼容 - 模式0和模式3
•33554432 ×1位结构或16777216 ×2位（双输出模式）结构
• 1024行业平等，每个4K字节- 任何部门可以单独擦除
• 64相同的块，每个64K字节- 任何块都可以单独擦除
•计划能力- 字节基地- 页面基（256个字节）
•闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V

性能
•高性能- 快速存取时间： 86MHz串行时钟
- 系列的双输出模式的时钟： 80MHz的
- 快速编程时间： 1.4ms之内（典型值）和5毫秒（最大值） /页
- 字节编程时间： 9US （典型值）
- 快速擦除时间： 60毫秒（典型值） /扇区; 0.7秒（典型值） /块
•低功耗
- 低有效的读电流： 25毫安（最大值） ，在86MHz
- 低电平有效的编程电流： 20毫安（最大）
- 低电平有效擦除电流： 20毫安（最大）
- 待机电流： 40uA的（最大）
- 深度掉电模式5UA （典型值）
•典型10万次擦除/编程
•20年的数据保留

软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
•高级安全功能
- 块锁保护该BP3 〜 BP0状态位定义的区域的大小为软件保护程序和擦除指令系统蒸发散
- 其他512位OTP保护的唯一标识符
•自动擦除和自动编程算法-自动擦除，并在选定的行业数据验证
-自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据，可自动倍
程序的脉冲宽度（在任何页面来进行编程，应先有在擦除状态页）

状态寄存器功能
•电子标识
- RES指令为1个字节的设备ID
- REMS为1字节的制造商ID和1字节的装置ID的命令
•支持串行闪存可发现参数（小农发展方案）模式

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