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| 型号 | 厂家 | 封装 | 一级分类 | 二级分类 | 参数 |
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IPW60R041C6
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Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
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分立式半导体产品
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FET - 单
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包装:管件,系列:CoolMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:77.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 44.4A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 2.96mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):290nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6530pF @ 10V,功率 - 最大值:481W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-247-3,供应商器件封装:PG-TO247-3
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