IPW65R041CFD

Infineon Technologies

MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

分立式半导体产品

FET - 单

包装:管件,系列:CoolMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):650V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:68.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 33.1A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 3.3mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):300nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8400pF @ 100V,功率 - 最大值:500W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-247-3,供应商器件封装:*